Samsung’un geliştirdiği 3D Stacked FET teknolojisi, transistörleri dikey olarak istiflemeyi başardı. Yeni mimari, geleceğin yapay zeka ve HPC çiplerinde radikal kazanımlar sağlayabilir.

KAYNAK: Donanım Haber
Haber Euro Türk sitesinden daha fazla şey keşfedin
Subscribe to get the latest posts sent to your email.
